一、影響蒸鍍型（xíng）氧化矽阻隔性（xìng）包（bāo）裝薄膜性能的因素

        蒸鍍基膜、蒸（zhēng）鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗層的組成（chéng）、蒸鍍層的厚度等，都可能（néng）對蒸（zhēng）鍍（dù）型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產（chǎn）生巨大的影（yǐng）響，主要可以列舉如下（xià）。www.y-jr.com南京丝瓜污视频精工阻隔膜（mó）生產線


1.基材的選擇性
        如前所述，蒸（zhēng）鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性依靠於SiOx塗層，因此在蒸（zhēng）煮處理過程（chéng）中，不能破壞該塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜通常與其他薄膜複合，製造蒸煮薄膜（mó），選擇蒸煮基材應當注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

        蒸鍍的氧化矽膜與塑料薄膜之間（jiān）的黏合牢度與塑料基膜種（zhǒng）類之間有（yǒu）較大的關係，PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化矽（guī）間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧（yǎng）化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑料薄膜表（biǎo）麵狀態

        蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度（dù）上決定於氧化矽鍍（dù）層的（de）均勻（yún）性。裂縫、針（zhēn）孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了蒸鍍層本身的（de）化學成分與結構之外，所用基膜的表麵平滑性，也是一個重（chóng）要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍缺陷，但適量（liàng）的粗糙度會使蒸鍍層和基膜的表麵之間形成物理錨接，改善層間黏合力。

（3)塑料薄膜的表麵預處理狀況

      為了（le）得到優質的蒸（zhēng）鍍（dù）薄膜，對基膜進行適度的表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過交聯、臭氧化（huà）、羧基化、硝基化等多種複雜的化學反應，將氧、氮等原子及原子團引入到塑料薄膜的表麵上），增大（dà）基膜與蒸鍍塗層之間的（de）結合力（lì）。在預處理設備一定的情況下（xià），如果預（yù）處理（lǐ）時間不足，表（biǎo）麵改性不充分，將導致基膜與塗層之間的結合牢度下降；預處理（lǐ）時間過長，可能引起基膜較深層次的界麵弱化，產生基膜自身的弱界麵層，也會引起基材表麵和蒸鍍層間的結合力（lì）下（xià）降。
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2.蒸鍍（dù）工藝條件對（duì）蒸鍍型氧化（huà）矽阻隔性包裝薄膜性能的影響
       

  不（bú）論采用物理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍工（gōng）藝條件都（dōu）可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產生（shēng）顯著的影響，因此應當盡可能采用有利於提高蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件（jiàn）。

（1)采用物理（lǐ）蒸鍍時，
      

  真空度的高低、基材薄膜的溫（wēn）度、電子槍的功率、蒸鍍（dù）原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時（shí）間與蒸發功率）等均會（huì）影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利於SiO2的蒸發，製得（dé）的蒸鍍（dù）膜的質（zhì）量越高。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度高，有利於（yú）蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密（mì）的塗（tú）層並有利於（yú）提高蒸鍍層與塑（sù）料基膜間的黏結度，因此適當提高塑料基膜的溫度，有（yǒu）利於（yú）提（tí）高蒸鍍薄膜（mó）的質量（liàng）。

③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜使用（yòng）塊（kuài）狀的SiO2,因（yīn）為粉（fěn）狀的SiO2在受電子槍轟擊時，易產生粉末濺射現象，影（yǐng）響蒸鍍（dù）膜的質量（liàng），而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸（zhēng）發。

④氧氣的導（dǎo）入速度影響蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的（de）量越大，即x的值越大，蒸鍍層向透明性提高的方向移動，但阻（zǔ）隔性有降低的趨勢。當x等於2時，得（dé）到阻隔性能差的、無色透明（míng）的（de）蒸（zhēng）鍍層，通常x控製在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔性及（jí）良好透明性的蒸鍍氧化矽（guī）薄膜。www.y-jr.com南京丝瓜污视频精工阻隔膜生產線

        蒸鍍層的厚度增加，蒸鍍（dù）膜的阻隔性增加，但當蒸鍍層的厚（hòu）度超過50nm時，蒸鍍層的厚度再進一步增大，蒸鍍（dù）膜（mó）的阻隔性（xìng）基本保（bǎo）持不變，因（yīn）此不能指望依（yī）靠降低生（shēng）產線（xiàn）的（de）線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的厚度的辦（bàn）法，無限度地（dì）提高蒸（zhēng）鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻（pín）電磁波或微波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的離子（zǐ）化能（néng）量以及蒸鍍材料離子化所需要的能量相匹配，高（gāo）頻電磁波一般選用13.56MHz,微（wēi）波一般選用2.45MHz,真空（kōng）度在10-2Pa左右即可獲得優良的蒸（zhēng）鍍效果，而物理蒸（zhēng）鍍時則需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或者（zhě）更高的真空度。

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