新聞資訊 | 發布日期:2020-10-17 發(fā)布者:丝瓜污视频精工 |
蒸鍍氧化矽型阻隔性包裝薄膜的(de)製備方法有物理蒸鍍(dù)(PVC)和化學蒸鍍(dù)(CVC)兩大類。根據具(jù)體實施方法的不同,又有如下種種方法。www.y-jr.com南京丝瓜污视频精(jīng)工機械有限公司阻隔膜生產設備(bèi)
1.物理蒸鍍
物理蒸鍍(dù)亦稱物理氣相(xiàng)沉積法,包括電阻絲蒸鍍、電子束蒸(zhēng)鍍以及(jí)濺射等。其中電阻(zǔ)式蒸鍍和電子束蒸鍍需在高溫下使(shǐ)SiO2汽化,而濺射沉積應用單元素靶材濺射,具有沉積溫度低、沉積速率高、靶材不受限製、鍍膜質量好的
優點。
(1)電阻絲蒸鍍法
電阻絲蒸發(fā)鍍法是在真空室中,用電阻絲加熱SiO2,溫度可達1700℃,高溫及(jí)真空使(shǐ)SiO2以原子或分子的形(xíng)態從其表麵汽(qì)化逸出,形成蒸氣流,該蒸氣流在基材表麵沉積,形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。
(2)電子束蒸發鍍膜法
電子束蒸發鍍膜法是將 SiO2放入水冷銅坩堝(guō)中,直接(jiē)利用電子束加熱,使之蒸發汽化,然後凝(níng)結在基材的表麵(miàn)上形(xíng)成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜。電子束轟擊熱源(yuán)的束流密度高,能獲得遠比電阻加熱源更大(dà)的能量密(mì)度,蒸發溫(wēn)度高(電(diàn)子束加(jiā)熱能量達20kW/c㎡,溫度更可達(dá)3000~6000℃),因而(ér)特別適合製作高(gāo)熔點薄膜類材料(liào)和高純薄膜(mó)材料,而(ér)且能有較高的蒸(zhēng)發速度。由於熱量(liàng)可直接加到蒸鍍材料的表麵,因而熱效(xiào)率高,熱傳導和(hé)熱輻射的損失少,所生產的SiOx阻隔性包裝薄膜的阻隔性(xìng),較之電阻絲蒸鍍法生產的產品,也有顯著提高。
(3)濺射法
濺射法(fǎ)亦稱磁控濺射法或高速低溫濺射法。用單元素靶材濺射並(bìng)倒入(rù)反(fǎn)應氣體進行的反應(yīng)稱為反應(yīng)濺(jiàn)射,通(tōng)過調節沉積(jī)工藝參數,可以製備化學配比或非化學配比的化合(hé)物薄膜,從而(ér)達到通過調節薄膜鍍層的組(zǔ)成來(lái)調控薄膜特性的(de)目的。磁控濺射法與蒸發法相比,具有鍍膜層與基材的(de)結合力強、鍍膜層(céng)致密、均勻等優點。磁控濺射的其他優點有設備簡單、操作方便等,在濺射鍍膜過程中,隻要保(bǎo)持工作氣壓和濺射功率恒定,基本上即可獲(huò)得(dé)穩定的沉積速率。最大缺點是沉積(jī)速率相對較低,此外(wài)可能發生靶中毒、引起的打火和濺射過程不穩定(dìng)以(yǐ)及膜的缺陷等,這些限製了它的應用,因此尚有(yǒu)待進一步改進。www.y-jr.com南京(jīng)住(zhù)野精工機械有限公司阻隔膜生產設備
2.化學蒸鍍(PECVD)
化學(xué)蒸鍍亦稱等離子體增強化學(xué)氣(qì)相沉積或等離子體聚合氣相沉積,是利用等離(lí)子體手段產生電子、離(lí)子及(jí)活性(xìng)基團,在氣態或基體表麵進行化學反應。等離子體(tǐ)增(zēng)強化學(xué)氣(qì)相沉積技術,利用射(shè)頻(RF)電源產生(shēng)輝(huī)光放電(射頻電源放(fàng)電方式可以設置為連續(xù)放電方(fāng)式或脈衝放(fàng)電方式)或者微波(MW)放電來離解反應氣體,形成等離子體,等(děng)離子體與基膜表麵發生相互作用並沉積成膜。穀吉海等曾在包裝工程中,對PECVD蒸鍍技術的(de)原(yuán)理(lǐ)、特(tè)點和應用(yòng)及陶瓷膜蒸鍍技術的(de)發展趨勢進行了展望。www.y-jr.com南(nán)京丝瓜污视频精工機械(xiè)有限公司阻隔膜(mó)生產設備(bèi)
等離子體增強化(huà)學氣相沉積采用(yòng)有機矽化合物作為單體[主要是有機矽烷,如六甲基二矽氧烷(HMDSO)、四甲基二矽氧烷(TMSO)、八甲基二矽氧烷等],用等離子體手段先使之進行離解,然後聚合沉積在基材表麵上,是一種新的(de)SiOx阻隔性包裝薄膜(mó)的製備方法,等離子體增(zēng)強化學氣(qì)相沉積方法具有沉積溫度低、沉積速率快的特點,通過改變極板負偏壓,在(zài)製(zhì)備薄(báo)膜過程中可調節(jiē)各種粒子的能量,從而製備出致密、均勻、高質量的(de)SiOx阻隔性(xìng)包,裝薄膜。近年來該法在等(děng)離子體化學領域的研究(jiū)工作十分引人注(zhù)目。
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